Lihat rilis pers multimedia selengkapnya di sini: http://www.businesswire.com/news/home/20180125006449/en/
Dalam beberapa tahun terakhir, kian pesatnya komunikasi data mobile telah memperluas penggunaan saklar dan filter RF pada perangkat mobile analog. Alhasil, peningkatan signal loss antara antena dan sirkuit penerima mengurangi sensitivitas penerima, dan memfokuskan perhatian pada LNA dengan tingkat kebisingan rendah[2] (NF) sebagai sarana mengkompensasi signal loss dan meningkatkan integritas sinyal yang diterima.
Toshiba Electronic Devices & Storage menggunakan proses TaRF10 barunya untuk mengembangkan LNA purwarupa dengan tingkat kebisingan yang luar biasa yakni 0,72dB dan gain[3] sebesar 16,9dB dengan frekuensi 1,8GHz.
Perangkat mobile menggunakan banyak saklar RF dan LNA di sirkuit penerima, yang mengharuskan pengecilan ukuran sirkuit untuk mengurangi pemanfaatan area board area. LNA saat ini biasanya menggunakan transistor dwikutub silicon-germanium-carbon (SiGe:C), dan sulit mengintegrasikan LNA dan saklar RF yang dibuat dengan berbagai proses pada chip yang sama.
Proses TaRF10 baru ini bisa mengintegrasikan LNA, sirkuit kontrol dan saklar RF di satu chip, karena amat cocok dengan proses TaRF8 dan TaRF9 untuk saklar RF, yang menjamin karakteristik luar biasa RF. TaRF9 merealisasikan insertion loss dan distorsi sinyal yang lebih rendah ketimbang TaRF8. Toshiba Electronic Devices & Storage sekarang akan memasarkan LNA dengan saklar RF terintegrasi.
Toshiba Electronic Devices & Storage mengembangkan IC RF yang memanfaatkan anak perusahaannya, yakni Japan Semiconductor Corporation untuk menerapkan teknologi mutakhir SOI CMOS, dan dengan menangani semua aspek arus produksi, mulai dari pengembangan teknologi proses RF hingga desain dan produksi, dengan menjamin peluncuran produk yang cepat.
Untuk memenuhi kebutuhan pasar generasi mendatang akan smartphone 5G, perusahaan ini akan terus meningkatkan karakteristik proses TarfSOITM dan mengembangkan IC RF dengan teknologi mutakhir.
Tabel 1. Spesifikasi Utama LNA
Moda LNA yang menggunakan proses TaRF 10 Unit
Ukuran Chip - 0,70×0,43 Mm
Frekuensi - 1,8 GHz
Voltase Suplai - 1,8 V
Arus Suplai Moda gain 7,4 mA
Moda bypass 50 μA
Voltase Kontrol Moda gain 1,8 V
Moda bypass 0 V
Gain Gain mode 16,9 dB
Moda bypass -1,6 dB
NF Moda gain 0,72 dB
Return Loss (In) Moda gain 8,4 dB
Return Loss (Out) Moda gain 12,1 dB
Isolasi Terbalik Moda gain 26,5 dB
IP1dB Moda gain -8,9 dBm
IIP3 Moda gain 4,3 dBm
Catatan:
[1] TarfSOITM (Toshiba advanced RF SOI): Proses terdepan SOI-CMOS (silicon-on-insulator-complementary metal oxide semiconductor) unik Toshiba
[2] Tingkat kebisingan: rasio signal-to-noise pada output terhadap rasio pada input. Semakin rendah tingkat kebisingannya, semakin rendah kebisingan penguatnya dan karenanya semakin baik.
[3] Gain: rasio daya output suatu penguat terhadap daya inputnya dalam dB
* Nama perusahaan, produk, dan layanan di sini boleh jadi merek dagang perusahaannya masing-masing.
Layanan Pelanggan:
Small Signal Device Sales & Marketing Department
Tel: +81-3-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/contact.html
*Segala informasi yang terkandung di dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan, dan informasi kontak, berlaku pada tanggal siaran pers ini diumumkan tapi tunduk kepada berbagai perubahan tanpa adanya pemberitahuan terlebih dahulu.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation menggabungkan semangat perusahaan baru dengan kebijakan pengalaman. Sejak memisahkan diri dari Toshiba Corporation pada Juli 2017, kami telah mapan di antara perusahaan perangkat umum terkemuka, serta memberi pelanggan dan mitra bisnis kami solusi luar biasa dalam semikonduktor yang berbeda, LSI sistem dan HDD.
Ke-19.000 karyawan kami di seluruh dunia bertekad memaksimalkan nilai produk kami, dan menekankan kerjasama erat dengan pelanggan untuk mempromosikan penciptaan bersama nilai dan pasar baru. Kami ingin mengandalkan penjualan tahunan yang kini melampaui 700 miliar yen (6 miliar dolar AS) dan ikut menciptakan masa depan yang lebih baik bagi orang di manapun.
Untuk informasi selengkapnya tentang kami, klik https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company.html
Lihat versi aslinya di businesswire.com: http://www.businesswire.com/news/home/20180125006449/en/
Kontak
Pertanyaan Media:
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Chiaki Nagasawa, +81-3-3457-4963
Digital Marketing Department
semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.
Pewarta: Adityawarman
Editor: PR Wire
Copyright © ANTARA 2018
