Toshiba Kembangkan Modul MOSFET Silikon Karbida (SiC) Ganda 2200V Pertama di Industri ini yang Berperan Pada Efisiensi Tinggi dan Mengurangi Ukuran Peralatan Industri

Penggunaan dalam industri seperti disebutkan di atas biasanya menggunakan daya maksimum DC1000V, dan perangkat listrik yang digunakan sebagian besar adalah produk berkapasitas 1200V atau 1700V. Namun untuk mengantisipasi meluasnya penggunaan DC1500V di tahun-tahun mendatang, Toshiba mengeluarkan produk berkapasitas 220V yang pertama di industri ini.

MG250YD2YMS3 menawarkan kehilangan konduksi rendah dengan drain-source on-voltage rendah (sense) 0,7V (tip.)[2]. Selain itu juga menawarkan switching loss nyala dan mati yang lebih rendah, yaitu 14mJ (tip.)[3] dan 11mJ (tip.)[3], sehingga kurang lebih mengurangi 90%[4] dibandingkan silikon (Si) IGBT tipikal. Karakteristik ini membantu lebih menghemat peralatan. Penggunaan switching loss rendah juga memungkinkan penggantian sirkuat tiga tingkat konvensional menjadi sirkuit dua tingkat dengan jumlah modul lebih rendah, sehingga membantu mengurangi ukuran peralatan.

Toshiba akan terus memenuhi kebutuhan pasar akan efisiensi tinggi dan pengurangan ukuran peralatan industri.

Catatan:

[1] Di antara modul MOSFET SiC ganda. Hasil survei Toshiba per Agustus 2023.

[2] Kondisi pengujian: ID=250A, VGS=+20V, Tch=25 °C

[3] Kondisi pengujian: VDD=1100V, ID=250A, Tch=150 °C

[4] Perbandingan Toshiba terkait switching loss untuk modul Si 2300V dan modul MG250YD2YMS3, modul MOSFET SiC yang baru, per Agustus 2023 (nilai performa untuk modul Si 2300V adalah hasil perkiraan Toshiba berdasarkan makalah yang diterbitkan pada bulan Maret 2023 atau sebelumnya.)

Peralatan Industri

- Sistem pembangkit tenaga energi terbarukan (sistem tenaga fotovoltaik, dan lain-lain)

- Sistem penyimpanan energi

- Peralatan pengontrol motor untuk peralatan industri

- Konverter DC-DC frekuensi tinggi, dan lain-lain

• Drain-source on-voltage rendah (sense):

VDS(on)sense=0,7V (tip.) (ID=250A, VGS=+20V, Tch=25 °C)

• Switching loss nyala yang rendah:

Eon=14mJ (tip.) (VDD=1100V, ID=250A, Tch=150 °C)

• Switching loss mati yang rendah:

Eoff=11mJ (tip.) (VDD=1100V, ID=250A, Tch=150 °C)

• Induktansi stray rendah:

LsPN=12nH (tip.)

Spesifikasi Utama

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang produk baru.

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang Perangkat Listrik SiC Toshiba.

* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin adalah merek dagang milik masing-masing perusahaan.

* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman namun dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, produk sistem LSI sistem dan HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.

21.500 karyawan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Dengan penjualan tahunan hampir sebesar 800 miliar yen (AS$6,1 miliar), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap untuk berkontribusi dan membangun masa depan lebih cerah bagi semua orang di mana saja.

Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html

Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/53545285/en

Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.

Departemen Penjualan & Pemasaran Perangkat Listrik

Tel: +81-44-548-2216

Chiaki Nagasawa

Departemen Pemasaran Digital

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation