Toshiba Electronic Devices & Storage luncurkan MOSFET daya N-channel 150V yang gunakan proses generasi terbaru untuk tingkatkan efisiensi catu daya

Kawasaki, Jepang, 31 Maret 2022 (ANTARA/Kyodo JBN-AsiaNet) - Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah meluncurkan MOSFET daya 150V N-channel "TPH9R00CQH" ( https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/detail.TPH9R00CQH.html ) yang menggunakan proses generasi terbaru (*1), "U-MOSX-H," dan yang cocok untuk digunakan dalam mengganti catu daya untuk peralatan industri -- termasuk yang digunakan di pusat data dan stasiun pangkalan komunikasi. Pengiriman dimulai pada tanggal 31 Maret.

Foto: https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M107097/202203249042/_prw_PI1fl_As0mw3xi.jpg

TPH9R00CQH memiliki resistensi sumber saluran pembuangan sekitar 42% lebih rendah dari TPH1500CNH, produk 150V yang menggunakan proses generasi saat ini, U-MOSVIII-H. Optimalisasi struktur MOSFET baru telah meningkatkan trade-off (*2) antara resistensi nyala sumber kuras dan dua karakteristik pengisian (*3), mewujudkan karakteristik low-loss yang sangat baik. Selain itu, tegangan lonjakan antara saluran pembuangan dan sumber pada operasi switching berkurang, membantu menurunkan interferensi elektromagnetik (EMI) dalam mengganti catu daya. Tersedia dua jenis paket pemasangan permukaan: SOP Advance dan SOP Advance (N) yang lebih populer.

Toshiba juga menawarkan alat yang mendukung desain sirkuit untuk mengganti catu daya. Bersamaan dengan model G0 SPICE, yang dapat memverifikasi fungsi sirkuit dalam waktu singkat, model G2 SPICE yang sangat akurat, yang secara akurat mereproduksi karakteristik transien, kini tersedia.

Toshiba akan memperluas jajaran MOSFET daya yang meningkatkan efisiensi catu daya peralatan dengan mengurangi kerugian, membantu mengurangi konsumsi daya.

Catatan:

(*1) Survei Toshiba per Maret 2022.

(*2) Produk ini telah meningkatkan resistensi nyala sumber kuras x beban sakelar gerbang sekitar 20% dan resistensi nyala sumber kuras x beban keluaran sekitar 28% dibandingkan dengan produk saat ini TPH1500CNH (U-MOSVIII-H seri).

(*3) Beban sakelar gerbang dan beban keluaran

- Catu daya untuk peralatan komunikasi

- Mengalihkan catu daya (konverter DC-DC efisiensi tinggi, dll.)

- Karakteristik kerugian rendah yang sangat baik.

(pertukaran antara resistensi nyala dan beban saklar gerbang dan beban keluaran)

- Resistensi rendah: RDS(ON)=9,0milliohms (maks) @VGS=10V

- Peringkat suhu saluran tinggi: Tch (maks) = 175C

Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang produk baru, TPH9R00CQH:

Ikuti tautan di bawah ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang MOSFET Toshiba:

Ikuti tautan di bawah ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang model SPICE yang sangat akurat (model G2):

Untuk mengetahui ketersediaan produk baru, TPH9R00CQH, di distributor online, silakan kunjungi dan beli secara online:

Catatan:

* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin merupakan merek dagang

  perusahaan masing-masing.

* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk,

  konten layanan dan informasi kontak, adalah yang terkini pada tanggal

  pengumuman tetapi dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pemasok terkemuka solusi semikonduktor dan penyimpanan canggih, memanfaatkan pengalaman dan inovasi lebih dari setengah abad untuk menawarkan kepada pelanggan dan mitra bisnis semikonduktor diskrit, LSI sistem, dan produk HDD yang luar biasa.